金属膜电位器式位移传感器

金属膜电位器式位移传感器由合金，金属或金属氧化物等材料通过真空溅射或电镀方法，在瓷基体上沉积一层薄膜而制成。金属膜电位器有无限分辨力，接触电阻很小，而热性好，满负荷达到70度。与线绕电位器相比，它的分布电感很小，特别适合在调频条件下使用。它的噪声仅高于线绕电位器。金属电位器的缺点是而磨性较差，阻值范围窄，一般在10-100欧。由于这些缺点，限制了它的使用范围。